MDD3N50GRH
Verfügbare Menge
3 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Magna Chip Semiconductor
Mpn
MDD3N50GRH
Beschreibung
N-Channel MOSFET 500V, 2.8 A, 2.5 OHM Power Field-Effect Transistor
Technische Daten: MDD3N50GRH
RoHS
Compliant
Height
2.39 mm
Length
6.73 mm
Width
6.22 mm
Case/Package
DPAK
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Country of Origin
Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) Code
EAR99
Introduction Date
2014-03-24
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 8 months ago)
Continuous Drain Current (ID)
2.8 A
Drain to Source Resistance
2.5 Ω
Element Configuration
Single
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
Input Capacitance
285 pF
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
45 W
Min Operating Temperature
-55 °C
Turn-Off Delay Time
33 ns
Turn-On Delay Time
19 ns
Andere Komponenten von Magna Chip Semiconductor
Unsere Web-Plattform unterstützt OEM- und EMS-Unternehmen dabei, ihre überschüssigen Lagerbestände weltweit zu verkaufen und gleichzeitig den potenziellen Käufern beste Preise und Qualität zu bieten.
AT/USDSupport
Support
Go green
Go green
AT/USD