2SK1119F
Verfügbare Menge
500
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Toshiba
Mpn
2SK1119F
Beschreibung
Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Technische Daten: 2SK1119F
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
RoHS
Compliant
Height
9 mm
Lead Pitch
2.54 mm
Length
10.3 mm
Width
4.7 mm
Case/Package
TO-220AB
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Lifecycle Status
Obsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
Continuous Drain Current (ID)
4 A
Drain to Source Resistance
3.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)
1 kV
Dual Supply Voltage
1 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Input Capacitance
700 pF
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
100 W
Min Breakdown Voltage
1 kV
Min Operating Temperature
-55 °C
Nominal Vgs
3.5 V
Number of Elements
1
Power Dissipation
100 W
Rds On Max
3.8 Ω
Termination
Through Hole
Threshold Voltage
3.5 V
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