2SJ377(TE16L)
Verfügbare Menge
1 300
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Toshiba
Mpn
2SJ377(TE16L)
Datenblatt
Beschreibung
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Technische Daten: 2SJ377(TE16L)
RoHS
Compliant
Number of Terminals
2
Export Control Classification Number (ECCN) Code
EAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code
8541.29.00.95
Introduction Date
1994-04-01
Lifecycle Status
Obsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date
2007-07-31
LTD Date
2007-10-31
Continuous Drain Current (ID)
5 A
Drain to Source Resistance
280 mΩ
Min Breakdown Voltage
60 V
Number of Elements
1
Power Dissipation
20 W
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